屏蔽罩根據(jù)頻率和作用機(jī)理的分類(lèi)
發(fā)布時(shí)間:2013年11月04日 點(diǎn)擊數(shù):
屏蔽罩根據(jù)頻率和作用機(jī)理的分類(lèi)
根據(jù)頻率和作用機(jī)理不同,屏蔽罩分下面幾種。
1. 直流磁場(chǎng)屏蔽
其屏蔽效能取決于屏蔽材料的導(dǎo)磁系數(shù)μ。
2. 低頻磁場(chǎng)屏蔽
從狹義角度,是指甚低頻(VLF)和極低頻(ELF)的磁場(chǎng)屏蔽。主要屏蔽機(jī)理是利用高導(dǎo)磁材料具有低磁阻的特性,使磁場(chǎng)盡可能通過(guò)磁陰很小的屏蔽殼體,而盡量不擴(kuò)散到外部空間。屏蔽殼體對(duì)磁場(chǎng)起磁分路作用。其屏蔽效能主要取決于屏蔽材料的導(dǎo)磁系數(shù)μ;隨著頻率增加,材料的電導(dǎo)率σ也起一定作用。
3. 地磁屏蔽
地磁場(chǎng)接近于直流磁場(chǎng),但實(shí)際上它是在20~50Hz頻率范圍漂動(dòng)。因此,對(duì)地磁屏蔽可看成是對(duì)疊加有效流場(chǎng)的直流磁場(chǎng)屏蔽。其屏蔽效能用增量屏蔽系數(shù)ЗΔ表示。ЗΔ取決于增量導(dǎo)磁系數(shù)μΔ。對(duì)半徑為R的圓球體單層屏蔽或長(zhǎng)度為ι的立方體單層屏蔽,設(shè)屏蔽體厚度為t,則增量屏蔽系數(shù)ЗΔ分別為
ЗΔ= 1+ 2 /3μΔt/ R
(圓球體)
增量導(dǎo)磁系數(shù)μΔ是材料磁密或磁感應(yīng)強(qiáng)度B的函數(shù)。其最大值等于初始直流導(dǎo)磁系數(shù)。并隨磁感應(yīng)強(qiáng)度B和直流導(dǎo)磁系數(shù)的增加而減??;在磁化飽和時(shí),μΔ等于零。因此,為了獲得最大的ЗΔ,屏蔽體應(yīng)彩高導(dǎo)磁材料,通過(guò)控制剩余感應(yīng)B,來(lái)抵消外界直流磁場(chǎng)??刂频姆椒ㄊ牵靡粋€(gè)高強(qiáng)度的高斯線(xiàn)圈放在屏蔽室中或靠近屏蔽室,進(jìn)行急劇磁化和交流去磁,以免屏蔽體磁化飽和或出現(xiàn)不希望的剩余感應(yīng),使剩余感應(yīng)達(dá)到所期望的數(shù)值。
4. 電磁屏蔽
從廣義角度,所有屏蔽均屬電磁屏蔽。但從狹義角度,電磁屏蔽是指從1~10kHz到40GHz頻率范圍的屏蔽。電磁屏蔽的機(jī)理是磁磁感應(yīng)現(xiàn)象。在外界交變電磁場(chǎng)作用下,通過(guò)電磁感應(yīng)屏蔽殼體內(nèi)產(chǎn)生感應(yīng)電流,而這感應(yīng)電流在屏蔽空間又產(chǎn)生了與外界電磁場(chǎng)方向相推薦]屏蔽的機(jī)理。
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